金刚石和石墨是同素异形体，金刚石品体是立方品系，属Fd3m空间群；而石墨是六角品系，属R3m空间群。由于原子之间的键合方式不同，使其性能差异十分巨大。从热力学的理论来看，石墨比金刚石更稳定。低压气相生长金刚石，在碳的相图中，是在石墨为稳态而金刚石为亚稳态的区域中进行。然而，由于两相的化学势十分接近，两相都能生成。
低压气相合成金刚石的关键技术是抑制石墨相，促进金刚石相生长。常用的合成方法有热丝法，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)， 包括微波PCVD、电子回旋共振 ECR—PCVD、直流和射频PCVD等方法，直流和高频电弧放电热等离子体法等。反应过程中输入的能量(如射频功率、微波功率等)、反应气体的激活状态和最佳配比、沉积过程的成核模式等，对于生成金刚石膜有决定性作用。
衬底材料的晶型和点阵常数对金刚石膜成核生长影响很大，当金刚石相和石墨相在衬底上同时成核时，石墨相就会迅速生长。如果存在高浓度的原于氢就会对长出的石墨相起腐蚀作用而将石墨相除去，虽然它也能对金刚石相起腐蚀作用，但速度却慢得多，从而达到抑制石墨相生长的目的。许多沉积金刚石薄膜的温度要求为600℃-900℃，因此该技术常用于硬质合金刀具表面沉积金刚石薄膜。